對于半導(dǎo)體行業(yè)來說，研發(fā)一直是保證企業(yè)長久競爭力與盈利能力的重要驅(qū)動力。因此，我們復(fù)盤分析了國內(nèi)外共110家主要半導(dǎo)體上市公司最近一個財年的研發(fā)投入情況，發(fā)現(xiàn)：
邏輯 > 存儲> 設(shè)備 > DAO > 代工/材料/封測
設(shè)計 > 設(shè)備> IDM > 代工 > 封測/材料
美國 > 歐洲> 中國大陸 ≈ 全球平均> 日本 > 韓國
一、研發(fā)投入額：產(chǎn)品、設(shè)備研發(fā)價值量高
110家半導(dǎo)體上市公司覆蓋材料、設(shè)備、邏輯、存儲、模擬、功率、代工、封測各版塊，且均選取各版塊全球龍頭企業(yè)（未上市無公開數(shù)據(jù)除外、材料版塊主要選取硅片類企業(yè)），以及國內(nèi)主要相關(guān)企業(yè)；其中涉及材料類15家、設(shè)備類23家、設(shè)計類40家、IDM類21家、代工類4家及封測類7家。
從整條產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)投入來看，110家半導(dǎo)體公司合計研發(fā)投入資金達到近6623億人民幣，其中材料、設(shè)備、邏輯、存儲、DAO、代工、封測各版塊研發(fā)投入占比分別為2%、11%、44%、28%、9%、5%及1%。
邏輯、存儲、DAO合計研發(fā)價值量占比近80%，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中研發(fā)支出的核心版塊。這三類產(chǎn)品直接面向應(yīng)用層，下游新能源、5G、AR/VR 等新興行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展、傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域性能指標的加速升級都要求行業(yè)進行持續(xù)、高強度的研發(fā)投入，以形成技術(shù)與市場之間的動態(tài)反饋與互促。
從前后版塊來看，設(shè)備研發(fā)投入最多，合計717億元，占比11%，研發(fā)驅(qū)動特性顯著；而代工、封測、材料的研發(fā)驅(qū)動特性則相對較弱。
二、研發(fā)強度：設(shè)計與設(shè)備為高研發(fā)驅(qū)動
剔除產(chǎn)業(yè)鏈各版塊之間市場體量的差異，邏輯、存儲、DAO、設(shè)備依舊體現(xiàn)出最強的研發(fā)驅(qū)動特性。
1）40家芯片設(shè)計類公司平均研發(fā)投入比例為19%，其中博通研發(fā)投入比例逼近30%；
2）設(shè)備方面，A應(yīng)用材料、ASML、泛林、東京電子等的研發(fā)投入比例在10%-16%之間；
3）IDM公司多為存儲、功率及模擬類公司，平均研發(fā)投入比例12%；其中模擬、功率類公司研發(fā)強度相對較高，在15%上下，三星、海力士等存儲器廠在10%上下；
4）代工領(lǐng)域，臺積電研發(fā)投入比例8%；
5）封測和材料平均研發(fā)投入比例均接近4%。
三、區(qū)域研發(fā)強度：中國大陸已達全球平均水平
中國大陸半導(dǎo)體公司平均研發(fā)強度在14%左右，低于美國17%和歐洲15%的平均研發(fā)水平，但達到全球平均水平。
材料：國際、國內(nèi)半導(dǎo)體材料公司研發(fā)投入比例都在5%上下，各區(qū)域研發(fā)投入強度無明顯差異。
設(shè)備：超美歐日韓，追趕之勢最猛。日韓設(shè)備公司研發(fā)投入比例在10%上下，美國在10%-15%之間，歐洲ASML研發(fā)投入比例近16%。對比國內(nèi)，大陸半導(dǎo)體設(shè)備公司研發(fā)投入比例大都在15%以上，尤以北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技3家最高，研發(fā)投入比例分別高達27%、28%、28%。平均來看，大陸半導(dǎo)體設(shè)備公司平均研發(fā)強度已近18%，超越美歐日韓的平均水平，大陸半導(dǎo)體設(shè)備公司發(fā)力之勢可見一斑。
設(shè)計：美國先進制程研發(fā)強度大、中國大陸成熟制程強度較低。中國大陸30家設(shè)計公司平均研發(fā)投入比例約11%，相較美國27%的平均水平有較大差距。研發(fā)差距主要來源于產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、業(yè)務(wù)規(guī)模的差異。美國頭部設(shè)計公司主要聚焦先進邏輯產(chǎn)品，且多為各自細分賽道絕對龍頭，如博通、英偉達研發(fā)投入比例達28%、24%；這也拉高了美國整體的研發(fā)投入水平。國內(nèi)設(shè)計公司大都處于早期階段，業(yè)務(wù)規(guī)模相對較小、且多為成熟制程產(chǎn)品，研發(fā)投入比例集中在10%-20%之間。
代工：加速研發(fā)投入。臺積電、聯(lián)電研發(fā)投入比例在7%-8%之間，大陸中芯國際、華虹半導(dǎo)體2020年研發(fā)投入比例分別為17%、11%，加速發(fā)力工藝研發(fā)。
封測：國際領(lǐng)先水平。2020年度，長電科技、通富微電、華天科技研發(fā)投入比例分別為4%、8%、6%，均已接近或超日月光、安靠3%-4%的水平，處于國際領(lǐng)先水平。
